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| Lugar de origen | Llamada |
| Nombre de la marca | Infineon |
| Certificación | ROHS |
| Número de modelo | IRLML6402TRPBF |
Ficha técnica de IRLML6402TRPBF
Estos MOSFETs del P-canal del rectificador internacional utilizan técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo para los cuales los MOSFETs del poder de HEXFET® son bien sabido, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en la gestión de la batería y de la carga.
En-resistencia ultrabaja
MOSFET del P-canal
Huella SOT-23
Perfil bajo (<1>
disponible en cinta y carrete
Transferencia rápida
Sin plomo
RoHS obediente, Halógeno-libre
electrónica portátil
Tarjetas de PCMCIA
| Cualidad | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | INFINEON |
| Categoría de producto | FETs - solos |
| Fabricante | Rectificador internacional |
| Producto-categoría | MOSFET |
| RoHS | Detalles |
| Montaje-estilo | SMD/SMT |
| Paquete-caso | SOT-23-3 |
| Número-de-canales | 1 canal |
| Transistor-polaridad | P-canal |
| Vds-Dren-Fuente-Avería-voltaje | - 20 V |
| Identificación-Continuo-Dren-actual | - 3,7 A |
| Rds-En-Dren-Fuente-resistencia | 65 mOhms |
| Vgs-Puerta-Fuente-voltaje | 12 V |
| Qg-Puerta-carga | 8 nC |
| Tecnología | Si |
| Empaquetado | Carrete |
| Marca | Rectificador internacional |
| Paladio-Poder-disipación | 1,3 W |
| Transistor-tipo | 1 P-canal |
| Unidad-peso | 0,050717 onzas |
| Fabricante Part # | Descripción | Fabricante | Compare |
| IRLML6402GTRPBF | Transistor del efecto de campo del poder, 3.7A I (D), 20V, 0.065ohm, 1-Element, P-canal, silicio, FET del semiconductor de óxido metálico, TO-236AB, SIN PLOMO, MICRO-3 | Infineon Technologies AG | IRLML6402TRPBF contra IRLML6402GTRPBF |
| IRLML6402GPBF | Transistor del efecto de campo del poder, 3.7A I (D), 20V, 0.065ohm, 1-Element, P-canal, silicio, FET del semiconductor de óxido metálico, TO-236AB, SIN PLOMO, MICRO-3 | Infineon Technologies AG | IRLML6402TRPBF contra IRLML6402GPBF |
| IRLML6402TRPBF | Transistor del efecto de campo del poder, 3.7A I (D), 20V, 0.065ohm, 1-Element, P-canal, silicio, FET del semiconductor de óxido metálico, TO-236AB, SIN PLOMO, MICRO-3 | Infineon Technologies AG | IRLML6402TRPBF contra IRLML6402TRPBF |
| IRLML6402PBF | Transistor | Infineon Technologies AG | IRLML6402TRPBF contra IRLML6402PBF |
¿Quién somos?
es una sociedad la comercialización electrónica profesional dedicada totalmente a los campos de los semiconductores y de los componentes electrónicos venta y al servicio para los clientes durante 10 años, se especializa en la venta del nuevo y la fábrica inusitada, original selló componentes electrónicos que embalaban. ¡especialícese en IC, diodo, transistor, IGBT, *** del convertidor de DC-DC ..... ha puesto nuestro propio concepto del servicio de las ventas y ha establecido ya sociedades fuertes con muchos fabricantes famosos y tenemos más de 5.000.000 clases de componentes electrónicos para sus opciones, siempre en sus servicios!
FAQ
Q: ¿Es usted empresa comercial o el fabricante?
: Somos fabricante original de microprocesador del circuito integrado. Podemos hacer negocio de OEM/ODM.
Q: ¿Cuánto tiempo es su plazo de expedición?
: Plazo de expedición de la compra del grupo: 30-60 días; Plazo de expedición general: 20 días.
Q: ¿Cuál es sus términos del pago?
: T/T el 30% como depósito, y el 70% antes de entrega.
Q: ¿Cómo comprar sus productos?
: Usted puede comprar los productos de nuestra compañía directamente. El procedimiento es normalmente muestra el contrato, pago por T/T, entra en contacto con al naviera a la entrega las mercancías a su país.
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: La garantía libre está a un año a partir del día de Comisión calificado. Si hay cualquier falta para nuestros productos dentro del período de garantía libre, la repararemos y cambiaremos el montaje de la falta gratis.
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