|
| Lugar de origen | Llamada |
| Nombre de la marca | onsemi |
| Certificación | ROHS |
| Número de modelo | NDT3055L |
| Cualidad | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | onsemi |
| Categoría de producto | FETs - solos |
| Serie | - |
| Empaquetado | Empaquetado alterno |
| Parte-alias | NDT3055_NL |
| Unidad-peso | 0,006632 onzas |
| Montaje-estilo | SMD/SMT |
| Paquete-caso | TO-261-4, TO-261AA |
| Tecnología | Si |
| Actuar-temperatura | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaje-tipo | Soporte superficial |
| Número-de-canales | 1 canal |
| Proveedor-Dispositivo-paquete | SOT-223-4 |
| Configuración | Solo |
| FET-tipo | Canal N del MOSFET, óxido de metal |
| Poder-máximo | 1.1W |
| Transistor-tipo | 1 canal N |
| VDSS – voltaje de la Dren-fuente | 60V |
| Capacitancia entrada | 250pF @ 30V |
| FET-característica | Estándar |
| Current-Continuous-Drain-Id-25°C | 4A (TA) |
| Rds-En-Máximo-identificación-Vgs | 100 mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs-th-Máximo-identificación | 4V @ 250μA |
| Puerta-carga-Qg-Vgs | 15nC @ 10V |
| Paladio-Poder-disipación | 3W |
| Temperatura de funcionamiento máximo | + 150 C |
| Gama de temperaturas de funcionamiento | - 65 C |
| Caída-tiempo | 30 ns |
| Tiempo de formación | 18 ns |
| Vgs-Puerta-Fuente-voltaje | 20 V |
| Identificación (corriente del dren) | 4 A |
| Vds-Dren-Fuente-Avería-voltaje | 60 V |
| Rds-En-Dren-Fuente-resistencia | 100 mOhms |
| Transistor-polaridad | Canal N |
| Típico-Vuelta-Apagado-Retraso-tiempo | 37 ns |
| Tiempo de retraso de abertura | 10 ns |
| Transconductancia | 6 S |
| Canal-modo | Aumento |
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FAQ
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: Somos fabricante original de microprocesador del circuito integrado. Podemos hacer negocio de OEM/ODM.
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Q: ¿Cómo comprar sus productos?
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: La garantía libre está a un año a partir del día de Comisión calificado. Si hay cualquier falta para nuestros productos dentro del período de garantía libre, la repararemos y cambiaremos el montaje de la falta gratis.
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