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| Lugar de origen | Llamada |
| Nombre de la marca | Infineon |
| Certificación | ROHS |
| Número de modelo | STW26NM60N |
Ficha técnica de STW26NM60N
Detalles del producto
Especificaciones
| Cualidad | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Categoría de producto | FETs - solos |
| Serie | MDmesh™ II |
| Empaquetado | Tubo |
| Unidad-peso | 1,340411 onzas |
| Montaje-estilo | A través del agujero |
| Paquete-caso | TO-247-3 |
| Tecnología | Si |
| Actuar-temperatura | 150°C (TJ) |
| Montaje-tipo | A través del agujero |
| Número-de-canales | 1 canal |
| Proveedor-Dispositivo-paquete | TO-247-3 |
| Configuración | Solo |
| FET-tipo | Canal N del MOSFET, óxido de metal |
| Poder-máximo | 140W |
| Transistor-tipo | 1 canal N |
| VDSS – voltaje de la Dren-fuente | 600V |
| Capacitancia entrada | 1800pF @ 50V |
| FET-característica | Estándar |
| Current-Continuous-Drain-Id-25°C | 20A (Tc) |
| Rds-En-Máximo-identificación-Vgs | 165 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs-th-Máximo-identificación | 4V @ 250μA |
| Puerta-carga-Qg-Vgs | 60nC @ 10V |
| Paladio-Poder-disipación | 140 W |
| Temperatura de funcionamiento máximo | + 150 C |
| Gama de temperaturas de funcionamiento | - 55 C |
| Caída-tiempo | 50 ns |
| Tiempo de formación | 25 ns |
| Vgs-Puerta-Fuente-voltaje | 25 V |
| Identificación (corriente del dren) | 20 A |
| Vds-Dren-Fuente-Avería-voltaje | 600 V |
| Rds-En-Dren-Fuente-resistencia | 135 mOhms |
| Transistor-polaridad | Canal N |
| Típico-Vuelta-Apagado-Retraso-tiempo | 85 ns |
| Tiempo de retraso de abertura | 13 ns |
| Transconductancia | 10 S |
| Canal-modo | Aumento |
Descripciones
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