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| Lugar de origen | Llamada |
| Nombre de la marca | onsemi |
| Certificación | ROHS |
| Número de modelo | FDN304PZ |
Ficha técnica de FDN304PZ
Detalles del producto
Especificaciones
| Cualidad | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | onsemi |
| Categoría de producto | FETs - solos |
| Serie | PowerTrench® |
| Empaquetado | Empaquetado alterno |
| Parte-alias | FDN304PZ_NL |
| Unidad-peso | 0,001058 onzas |
| Montaje-estilo | SMD/SMT |
| Paquete-caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Tecnología | Si |
| Actuar-temperatura | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaje-tipo | Soporte superficial |
| Número-de-canales | 1 canal |
| Proveedor-Dispositivo-paquete | SuperSOT-3 |
| Configuración | Solo |
| FET-tipo | P-canal del MOSFET, óxido de metal |
| Poder-máximo | 460mW |
| Transistor-tipo | 1 P-canal |
| VDSS – voltaje de la Dren-fuente | 20V |
| Capacitancia entrada | 1310pF @ 10V |
| FET-característica | Puerta del nivel de la lógica, impulsión 1.8V |
| Current-Continuous-Drain-Id-25°C | 2.4A (TA) |
| Rds-En-Máximo-identificación-Vgs | 52 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Vgs-th-Máximo-identificación | 1.5V @ 250μA |
| Puerta-carga-Qg-Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Paladio-Poder-disipación | 500 mW |
| Temperatura de funcionamiento máximo | + 150 C |
| Gama de temperaturas de funcionamiento | - 55 C |
| Caída-tiempo | 15 ns |
| Tiempo de formación | 15 ns |
| Vgs-Puerta-Fuente-voltaje | 8 V |
| Identificación (corriente del dren) | 2,4 A |
| Vds-Dren-Fuente-Avería-voltaje | - 20 V |
| Rds-En-Dren-Fuente-resistencia | 52 mOhms |
| Transistor-polaridad | P-canal |
| Típico-Vuelta-Apagado-Retraso-tiempo | 40 ns |
| Tiempo de retraso de abertura | 15 ns |
| Transconductancia | 12 S |
| Canal-modo | Aumento |
| Fabricante Part # | Descripción | Fabricante | Compare |
| FDN302PD87Z | Pequeño transistor del efecto de campo de la señal, 2.4A I (D), 20V, 1-Element, P-canal, silicio, FET del semiconductor de óxido metálico, SUPERSOT-3 | Fairchild Semiconductor Corporation | FDN304PZ contra FDN302PD87Z |
| Transistores | |||
| FDN302P | El P-canal 2.5V especificó MOSFET -20V, -2.4A, 惟 de los 55m, 3000-REEL de PowerTrenchR | EN el semiconductor | FDN304PZ contra FDN302P |
| Transistores | |||
| FDN304P_NL | Pequeño transistor del efecto de campo de la señal, 2.4A I (D), 20V, 1-Element, P-canal, silicio, FET del semiconductor de óxido metálico, SUPERSOT-3 | Fairchild Semiconductor Corporation | FDN304PZ contra FDN304P_NL |
| Transistores | |||
| FDN304PZ | El P-canal 1.8V especificó MOSFET -20V, -2.4A, 惟 de los 52m, 3000-REEL de PowerTrenchR | EN el semiconductor | FDN304PZ contra FDN304PZ |
| Transistores | |||
| FDN304PZ_NL | Pequeño transistor del efecto de campo de la señal, 2.4A I (D), 20V, 1-Element, P-canal, silicio, FET del semiconductor de óxido metálico, SUPERSOT-3 | Fairchild Semiconductor Corporation | FDN304PZ contra FDN304PZ_NL |
| Transistores | |||
| FDN304P | El P-canal 1.8V especificó MOSFET -20V, -2.4A, 惟 de los 52m, 3000-REEL de PowerTrenchR | EN el semiconductor | FDN304PZ contra FDN304P |
| Transistores | |||
| FDN302PS62Z | Pequeño transistor del efecto de campo de la señal, 2.4A I (D), 20V, 1-Element, P-canal, silicio, FET del semiconductor de óxido metálico, SUPERSOT-3 | Fairchild Semiconductor Corporation | FDN304PZ contra FDN302PS62Z |
| Transistores | |||
| FDN302PL99Z | Pequeño transistor del efecto de campo de la señal, 2.4A I (D), 20V, 1-Element, P-canal, silicio, FET del semiconductor de óxido metálico, SUPERSOT-3 | Fairchild Semiconductor Corporation | FDN304PZ contra FDN302PL99 |
| Transistores |
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