Detalles del producto
Los ILD/Q621 y los ILD/Q621GB son los acopladores ópticos de varios canales del fototransistor que utilizan los emisores del GaAs IRLED y los fototransistores del silicio de la alta ganancia NPN. Estos dispositivos se construyen usando encima/bajo el acoplamiento óptico del leadframe y tecnología moldeada doble del aislamiento. Este proceso de asamblea ofrece soporta el voltaje de la prueba de 7500 VDC.
• Fuente alterna a TLP621-2/-4 y a TLP621GB-2/-4
• Ratio de transferencia actual (CTR) en IF= 5 mA
ILD/Q621: El 50% mínimo.
ILD/Q621GB: El 100% mínimo.
• Ratio de transferencia actual saturado (CTRSAT) en IF=1 mA
ILD/Q621: Tipo del 60%.
ILD/Q621GB: El 30% mínimo.
• Alto voltaje del Colector-emisor, BVCEO=70 V
• Característica dual y del patio de los paquetes:
- Espacio reducido del tablero
- Baje el Pin y las piezas cuentan
- Mejore el partido de canal a canal del CTR
- Rechazo de modo común mejorado
• Establo del efecto de campo por los TRÍOS (IOn Shield transparente)
• Voltaje de la prueba del aislamiento del paquete moldeado doble, 5300 VACRMS
• Fichero #E52744 del laboratorio de los suscriptores
• VDE 0884 disponible con la opción 1
Especificaciones
Cualidad | Valor del atributo |
---|---|
Fabricante | División opta del semiconductor de Vishay |
Categoría de producto | Acopladores ópticos de la salida del transistor |
Serie | - |
Empaquetado | Tubo |
Paquete-caso | 8-DIP (0,300", 7.62m m) |
Entrada-tipo | DC |
Actuar-temperatura | -55°C ~ 100°C |
Montaje-tipo | A través del agujero |
Salida-tipo | Transistor |
Número-de-canales | 2 canales |
Proveedor-Dispositivo-paquete | 8-DIP |
Configuración | Canal 2 |
Corriente de salida nominal | 50mA |
Voltaje-Salida-máximo | 70V |
Actual-DC-delantero-si-máximo | 60mA |
Voltaje-aislamiento | 5300Vrms |
Vf | 1.15V |
Ratio de transferencia actual | el 50% @ 5mA |
Actual-Transferencia-Ratio-máximo | el 600% @ 5mA |
Apague el tiempo | 3μs, 2.3μs |
Subida-Caída-tiempo-Typ | 2μs, 2μs |
Saturación de Vce | 400mV |
Paladio-Poder-disipación | 400 mW |
Temperatura de funcionamiento máximo | + 100 C |
Gama de temperaturas de funcionamiento | - 55 C |
Vf-Delantero-voltaje | 1,3 V |
Aislamiento-voltaje | 5300 Vrms |
Vr-Reverso-voltaje | 6 V |
Si-Delantero-actual | 60 mA |
Paquete-caso | DIP-8 |
Actual-Transferencia-ratio | el 600% |
Máximo-Colector-actual | 100 mA |
Máximo-Colector-Emisor-voltaje | 70 V |
Máximo-Colector-Emisor-Saturación-voltaje | 0,4 V |
Forma, paquete, componente compatible funcional
Descripciones
¿Quién somos?
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FAQ
Q: ¿Es usted empresa comercial o el fabricante?
: Somos fabricante original de microprocesador del circuito integrado. Podemos hacer negocio de OEM/ODM.
Q: ¿Cuánto tiempo es su plazo de expedición?
: Plazo de expedición de la compra del grupo: 30-60 días; Plazo de expedición general: 20 días.
Q: ¿Cuál es sus términos del pago?
: T/T el 30% como depósito, y el 70% antes de entrega.
Q: ¿Cómo comprar sus productos?
: Usted puede comprar los productos de nuestra compañía directamente. El procedimiento es normalmente muestra el contrato, pago por T/T, entra en contacto con al naviera a la entrega las mercancías a su país.
Q: ¿Cuál es la garantía?
: La garantía libre está a un año a partir del día de Comisión calificado. Si hay cualquier falta para nuestros productos dentro del período de garantía libre, la repararemos y cambiaremos el montaje de la falta gratis.
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